Festkörperhysik

 

 

Bei der Molekularstrahlepitaxie werden Atome und Moleküle aus Öfen mit reinen Elementen (As, Sb, Ga, Al, Te, Be) in einer Vakuumkammer (10-10 mbar) abgestrahlt und treffen auf ein einkristallines GaSb-Substrat, wodurch das Kristall Atomlage für Atomlage wächst. Durch Ein- und Ausschalten der Öfen regelt man die Zusammensetzung der Atomlagen, um einen künstlichen Einkristall mit gezielter Struktur zu bekommen. So erzeugt man optoelektronische Strukturen wie Quantentöpfe oder Wellenleiter.

 

Die Güte der Kristalloberfläche wird mit RHEED (reflective high energy electron diffraction) kontrolliert.

 

 

 

 

Quantenstrukturen wie AlSb-GaSb-InAs-GaSb-AlSb 'W-Strukturen' liefern eine optimale Überlappung der quantenmechanischen Wellenfunktionen von Elektronen und Löchern. Baut man drumherum zusätzlich einen Wellenleiter erhält man optisch oder elektrisch pumpbare Laser (Laserdioden) oder andere optoelektronische Bauteile wie Detektoren.

 

 

Optoelektronische Chips werden im Reinraum prozessiert.